പോളിസിലിക്കൺ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള രീതി.

1. ലോഡ് ചെയ്യുന്നു

ഹീറ്റ് എക്സ്ചേഞ്ച് ടേബിളിൽ പൂശിയ ക്വാർട്സ് ക്രൂസിബിൾ സ്ഥാപിക്കുക, സിലിക്കൺ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ ചേർക്കുക, തുടർന്ന് ചൂടാക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ, ഇൻസുലേഷൻ ഉപകരണങ്ങൾ, ഫർണസ് കവർ എന്നിവ സ്ഥാപിക്കുക, ചൂളയിലെ മർദ്ദം 0.05-0.1mbar ആയി കുറയ്ക്കാനും വാക്വം നിലനിർത്താനും ഫർണസ് ഒഴിപ്പിക്കുക. ചൂളയിലെ മർദ്ദം അടിസ്ഥാനപരമായി ഏകദേശം 400-600mbar ആയി നിലനിർത്താൻ ഒരു സംരക്ഷിത വാതകമായി ആർഗോൺ അവതരിപ്പിക്കുക.

2. ചൂടാക്കൽ

ഫർണസ് ബോഡി ചൂടാക്കാൻ ഒരു ഗ്രാഫൈറ്റ് ഹീറ്റർ ഉപയോഗിക്കുക, ആദ്യം ഗ്രാഫൈറ്റ് ഭാഗങ്ങൾ, ഇൻസുലേഷൻ പാളി, സിലിക്കൺ അസംസ്‌കൃത വസ്തുക്കൾ മുതലായവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ ആഗിരണം ചെയ്യപ്പെടുന്ന ഈർപ്പം ബാഷ്പീകരിക്കുക, തുടർന്ന് സാവധാനം ചൂടാക്കി ക്വാർട്സ് ക്രൂസിബിളിൻ്റെ താപനില ഏകദേശം 1200-1300 ൽ എത്തും.℃. ഈ പ്രക്രിയ 4-5 മണിക്കൂർ എടുക്കും.

3. ഉരുകൽ

ചൂളയിലെ മർദ്ദം അടിസ്ഥാനപരമായി ഏകദേശം 400-600mbar ആയി നിലനിർത്താൻ ഒരു സംരക്ഷിത വാതകമായി ആർഗോൺ അവതരിപ്പിക്കുക. ക്രൂസിബിളിലെ താപനില ഏകദേശം 1500 ആയി പൊരുത്തപ്പെടുത്താൻ ചൂടാക്കൽ ശക്തി ക്രമേണ വർദ്ധിപ്പിക്കുക℃, കൂടാതെ സിലിക്കൺ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ ഉരുകാൻ തുടങ്ങുന്നു. ഏകദേശം 1500 സൂക്ഷിക്കുക℃ഉരുകൽ പൂർത്തിയാകുന്നതുവരെ ഉരുകൽ പ്രക്രിയയിൽ. ഈ പ്രക്രിയ ഏകദേശം 20-22 മണിക്കൂർ എടുക്കും.

4. ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ച

സിലിക്കൺ അസംസ്‌കൃത വസ്തുക്കൾ ഉരുകിയ ശേഷം, ചൂടാക്കൽ ശക്തി കുറയുകയും ക്രൂസിബിളിൻ്റെ താപനില ഏകദേശം 1420-1440 ആയി കുറയുകയും ചെയ്യുന്നു.℃, ഇത് സിലിക്കണിൻ്റെ ദ്രവണാങ്കമാണ്. തുടർന്ന് ക്വാർട്സ് ക്രൂസിബിൾ ക്രമേണ താഴേക്ക് നീങ്ങുന്നു, അല്ലെങ്കിൽ ഇൻസുലേഷൻ ഉപകരണം ക്രമേണ ഉയരുന്നു, അങ്ങനെ ക്വാർട്സ് ക്രൂസിബിൾ സാവധാനം ചൂടാക്കൽ മേഖല വിട്ട് ചുറ്റുപാടുമായി താപ വിനിമയം ഉണ്ടാക്കുന്നു; അതേ സമയം, അടിയിൽ നിന്ന് ഉരുകുന്നതിൻ്റെ താപനില കുറയ്ക്കുന്നതിന് തണുപ്പിക്കൽ പ്ലേറ്റിലൂടെ വെള്ളം കടന്നുപോകുന്നു, കൂടാതെ ക്രിസ്റ്റലിൻ സിലിക്കൺ ആദ്യം അടിയിൽ രൂപം കൊള്ളുന്നു. വളർച്ചാ പ്രക്രിയയിൽ, ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ച പൂർത്തിയാകുന്നതുവരെ ഖര-ദ്രാവക ഇൻ്റർഫേസ് എല്ലായ്പ്പോഴും തിരശ്ചീന തലത്തിന് സമാന്തരമായി തുടരും. ഈ പ്രക്രിയ ഏകദേശം 20-22 മണിക്കൂർ എടുക്കും.

5. അനീലിംഗ്

ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ച പൂർത്തിയായ ശേഷം, ക്രിസ്റ്റലിൻ്റെ അടിഭാഗത്തിനും മുകൾഭാഗത്തും ഇടയിലുള്ള വലിയ താപനില ഗ്രേഡിയൻ്റ് കാരണം, സിലിക്കൺ വേഫർ ചൂടാക്കുമ്പോഴും ബാറ്ററി തയ്യാറാക്കുമ്പോഴും ഇത് വീണ്ടും തകർക്കാൻ എളുപ്പമാണ്. . അതിനാൽ, ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ച പൂർത്തിയായ ശേഷം, സിലിക്കൺ ഇൻഗോട്ടിൻ്റെ താപനില ഏകീകൃതമാക്കുന്നതിനും താപ സമ്മർദ്ദം കുറയ്ക്കുന്നതിനും 2-4 മണിക്കൂർ ദ്രവണാങ്കത്തിന് സമീപം സിലിക്കൺ കഷണം സൂക്ഷിക്കുന്നു.

6. തണുപ്പിക്കൽ

ചൂളയിൽ സിലിക്കൺ കഷണം അനീൽ ചെയ്ത ശേഷം, ചൂടാക്കൽ ശക്തി ഓഫാക്കുക, ചൂട് ഇൻസുലേഷൻ ഉപകരണം ഉയർത്തുക അല്ലെങ്കിൽ സിലിക്കൺ ഇൻഗോട്ട് പൂർണ്ണമായും താഴ്ത്തുക, കൂടാതെ സിലിക്കൺ കട്ടിലിൻ്റെ താപനില ക്രമേണ കുറയ്ക്കുന്നതിന് ചൂളയിലേക്ക് ആർഗോൺ വാതകത്തിൻ്റെ വലിയ ഒഴുക്ക് നൽകുക. മുറിയിലെ താപനില; അതേ സമയം, അന്തരീക്ഷമർദ്ദം എത്തുന്നതുവരെ ചൂളയിലെ വാതക സമ്മർദ്ദം ക്രമേണ ഉയരുന്നു. ഈ പ്രക്രിയ ഏകദേശം 10 മണിക്കൂർ എടുക്കും.